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型号:BAX12A

描述:Philips Semiconductors

厂商:Controlled Avalanche Diode

PDF大小:63 K

页数:12 页

 型号BAX16TR参数

  • onsemi
  • DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35
  • 剪切带(CT): ¥2.69000,卷带(TR): ¥0.39858
  • 系列: -
  • 产品状态: 在售
  • 二极管类型: 标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 150 V
  • 电流 - 平均整流 (Io): 200mA
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 650 mV @ 1 mA
  • 速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
  • 反向恢复时间 (trr): 120 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 150 V
  • 不同?Vr、F 时电容: -
  • 安装类型: 通孔
  • 封装/外壳: DO-204AH,DO-35,轴向
  • 供应商器件封装: DO-35
  • 工作温度 - 结: 175°C(最大)
型号 供应商 数量 厂商/品牌 封装 批号 说明 联系
BAX12A-113

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