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BZX85B16-TAP
型号：BZX85B16-TAP
描述：Vishay Intertechnology, Inc.
厂商：Silicon Epitaxial Planar Z-Diode
PDF大小：86 K
页数：5 页
型号BZX85B16-TAP参数
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- DIODE ZENER 16V 1.3W DO41
- 剪切带（CT）: ￥3.07000,带盒（TB）: ￥0.51702
- 产品状态: 在售
- 电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 16 V
- 容差: ±2%
- 功率 - 最大值: 1.3 W
- 阻抗（最大值）(Zzt): 15 Ohms
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA @ 12 V
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): -
- 工作温度: -55°C ~ 175°C
- 安装类型: 通孔
- 封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向
- 供应商器件封装: DO-204AL（DO-41）
| 型号 | 供应商 | 数量 | 厂商/品牌 | 封装 | 批号 | 说明 | 联系 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BZX85B16-TAP
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| 1000 | Vishay Semiconductor Diodes Division | 原厂封装 | 16+/17+ | - | |
| BZX85B16-TAP
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| 1000 | Vishay Semiconductor Diodes Division | 原厂封装 | 16+/17+ | - |
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