型号BAV21-TAP参数

• Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• DIODE GEN PURP 200V 250MA DO35
• 剪切带（CT）: ￥1.46000,带盒（TB）: ￥0.20275
• 产品状态: 在售
• 二极管类型: 标准
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200 V
• 电流 - 平均整流 (Io): 250mA（DC）
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 100 mA
• 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr): 50 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 150 V
• 不同?Vr、F 时电容: 1.5pF @ 0V，1MHz
• 安装类型: 通孔
• 封装/外壳: DO-204AH，DO-35，轴向
• 供应商器件封装: DO-35（DO-204AH）
• 工作温度 - 结: 175°C（最大）