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BZX55C8V2-TAP
型号：BZX55C8V2-TAP
描述：Vishay Intertechnology, Inc.
厂商：Silicon Epitaxial Planar Z-Diode
PDF大小：106 K
页数：6 页
型号BZX55C8V2-TAP参数
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35
- 剪切带（CT）: ￥1.61000,带盒（TB）: ￥0.21965
- 产品状态: 在售
- 电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 8.2 V
- 容差: ±5%
- 功率 - 最大值: 500 mW
- 阻抗（最大值）(Zzt): 7 Ohms
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 6.2 V
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5 V @ 200 mA
- 工作温度: -65°C ~ 175°C
- 安装类型: 通孔
- 封装/外壳: DO-204AH，DO-35，轴向
- 供应商器件封装: DO-35（DO-204AH）
| 型号 | 供应商 | 数量 | 厂商/品牌 | 封装 | 批号 | 说明 | 联系 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BZX55C8V2-TAP64
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| 1000 | 进口原装 | 参照PDF | 0717+ | - | |
| BZX55C8V2-TAP64
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| 1000 | 进口原装 | 参照PDF | 0717+ | - | |
| BZX55C8V2-TAPFZ
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| 1000 | - | - | 08/09+ | - | |
| BZX55C8V2-TAPFZ
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| 1000 | - | - | 08/09+ | - |
热门型号:
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