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BZX55B9V1-TAP
型号：BZX55B9V1-TAP
描述：Vishay Intertechnology, Inc.
厂商：Silicon Epitaxial Planar Z-Diode
PDF大小：106 K
页数：6 页
型号BZX55B9V1-TAP参数
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35
- 剪切带（CT）: ￥1.77000,带盒（TB）: ￥0.22979
- 产品状态: 在售
- 电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 9.1 V
- 容差: ±2%
- 功率 - 最大值: 500 mW
- 阻抗（最大值）(Zzt): 10 Ohms
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 6.8 V
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5 V @ 200 mA
- 工作温度: -65°C ~ 175°C
- 安装类型: 通孔
- 封装/外壳: DO-204AH，DO-35，轴向
- 供应商器件封装: DO-35（DO-204AH）
| 型号 | 供应商 | 数量 | 厂商/品牌 | 封装 | 批号 | 说明 | 联系 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BZX55B9V1-TAP
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| 1000 | Vishay Semiconductor Diodes Division | 原厂封装 | 16+/17+ | - | |
| BZX55B9V1-TAP
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| 1000 | Vishay Semiconductor Diodes Division | 原厂封装 | 16+/17+ | - |
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