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BZX55B3V0-TAP
型号：BZX55B3V0-TAP
描述：Vishay Intertechnology, Inc.
厂商：Silicon Epitaxial Planar Z-Diode
PDF大小：106 K
页数：6 页
型号BZX585-C9V1,135参数
- Nexperia USA Inc.
- DIODE ZENER 9.1V 300MW SOD523
- 卷带（TR）: ￥0.35471
- 系列: -
- 产品状态: 在售
- 电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 9.1 V
- 容差: ±5%
- 功率 - 最大值: 300 mW
- 阻抗（最大值）(Zzt): 10 Ohms
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA @ 6 V
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 100 mA
- 工作温度: -65°C ~ 150°C
- 安装类型: 表面贴装型
- 封装/外壳: SC-79，SOD-523
- 供应商器件封装: SOD-523
| 型号 | 供应商 | 数量 | 厂商/品牌 | 封装 | 批号 | 说明 | 联系 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BZX55B3V0-TAP
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| 1000 | Vishay Semiconductor Diodes Division | 原厂封装 | 16+/17+ | - | |
| BZX55B3V0-TAP
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| 1000 | Vishay Semiconductor Diodes Division | 原厂封装 | 16+/17+ | - | |
| BZX55B3V0-TAP-E3
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| 1000 | VISHAY SEMICONDUCTORS | SMD | 2008 | - | |
| BZX55B3V0-TAP-E3
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| 1000 | VISHAY SEMICONDUCTORS | SMD | 2008 | - |
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