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BZT55C3V6-GS08
型号：BZT55C3V6-GS08
描述：Vishay Intertechnology, Inc.
厂商：Silicon Epitaxial Planar Z-Diode
PDF大小：153 K
页数：6 页
型号BZT55C3V6-GS08参数
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- DIODE ZENER 3.6V 500MW SOD80
- 剪切带（CT）: ￥1.77000,卷带（TR）: ￥0.30505
- 产品状态: 在售
- 电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 3.6 V
- 容差: ±5%
- 功率 - 最大值: 500 mW
- 阻抗（最大值）(Zzt): 90 Ohms
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 μA @ 1 V
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5 V @ 200 mA
- 工作温度: -65°C ~ 175°C
- 安装类型: 表面贴装型
- 封装/外壳: SOD-80 变式
- 供应商器件封装: SOD-80 QuadroMELF
| 型号 | 供应商 | 数量 | 厂商/品牌 | 封装 | 批号 | 说明 | 联系 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BZT55C3V6-GS083.6V |
| 500 | - | - | 最新批号 | 原装现货 | |
| BZT55C3V6-GS08/3.6V
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| 1000 | - | - | 08/09+ | - | |
| BZT55C3V6-GS08/3.6V
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| 1000 | - | - | 08/09+ | - | |
| BZT55C3V6-GS08/LL3.6V
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| 1000 | VISHAY | LL34 | 09+ | - | |
| BZT55C3V6-GS08/LL3.6V
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| 1000 | VISHAY | LL34 | 09+ | - |
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