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BZT55C10

型号:BZT55C10

描述:Vishay Intertechnology, Inc.

厂商:Silicon Epitaxial Planar Z-Diode

PDF大小:- K

页数:- 页

 型号BZT585B9V1T-7参数

  • Diodes Incorporated
  • DIODE ZENER 9.1V 350MW SOD523
  • 剪切带(CT): ¥1.92000,卷带(TR): ¥0.33419
  • 系列: -
  • 产品状态: 在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 9.1 V
  • 容差: ±2%
  • 功率 - 最大值: 350 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt): 10 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA @ 6 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
  • 工作温度: -65°C ~ 150°C
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 封装/外壳: SC-79,SOD-523
  • 供应商器件封装: SOD-523
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