如您有本站未收集的PDF资料，您可在线上传该PDF资料以让更多人共享您的资源，谢谢!
BZM55C6V2
型号：BZM55C6V2
描述：Vishay Intertechnology, Inc.
厂商：Silicon Epitaxial Planar Z-Diode
PDF大小：- K
页数：- 页
型号BZM55C9V1-TR3参数
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- DIODE ZENER 9.1V 500MW MICROMELF
- 剪切带（CT）: ￥2.23000,卷带（TR）: ￥0.29296
- 产品状态: 在售
- 电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 9.1 V
- 容差: -
- 功率 - 最大值: 500 mW
- 阻抗（最大值）(Zzt): 50 Ohms
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 6.8 V
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5 V @ 200 mA
- 工作温度: -65°C ~ 175°C
- 安装类型: 表面贴装型
- 封装/外壳: 2-SMD，无引线
- 供应商器件封装: MicroMELF
| 型号 | 供应商 | 数量 | 厂商/品牌 | 封装 | 批号 | 说明 | 联系 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BZM55C6V2-TR |
| 6000 | VISHAY SEMICONDUCTOR | - | - | - | |
| BZM55C6V2-A-MICROMELF
|
| 1000 | 原厂全新 | 参照PDF | 0725+ | - | |
| BZM55C6V2-A-MICROMELF
|
| 1000 | 原厂全新 | 参照PDF | 0725+ | - | |
| BZM55C6V2TR
|
| 1000 | vishay | IN STOCK!PACK: 2500/tr/smd | dc10 | - | |
| BZM55C6V2TR
|
| 1000 | vishay | IN STOCK!PACK: 2500/tr/smd | dc10 | - | |
| BZM55C6V2TR3
|
| 1000 | 原厂全新 | 参照PDF | 0725+ | - |
热门型号:
BZX84-C4V3 (4.3V)D38999/20WC98SN-LC144-02A12D38999/24WA98PN-LCECC-D3A331JGEECA-0JFQ122L770990-4B41456B9229M003CFM14W1.00K5RAT49LV001T-12JCSN74LVC1G125DCKRDS1E-SL-DC1.5VCBJ00100RAAH755169-AD38999/20WB35PAFCN13929_BARBARA-WW-PF-VERO13/18CXA3264TN-T41173-IC202AECA-1VFQ182SISP1160 DEMO BOARDVSP9437B-XZ-C3PAL8L14ACJS48168946780B4003TVJ1210A430JBCAT4XD38999/24WC98SN-LC5ST10MA1070000L/M2WD38999/20WE35PN
