型号BZD17C24P-E3-08参数

• Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• DIODE ZENER 24V 800MW DO219AB
• 剪切带（CT）: ￥3.38000,卷带（TR）: ￥1.18368
• 系列: -
• 产品状态: 在售
• 电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 24 V
• 容差: -
• 功率 - 最大值: 800 mW
• 阻抗（最大值）(Zzt): -
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 μA @ 18 V
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA
• 工作温度: -55°C ~ 150°C
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装/外壳: DO-219AB
• 供应商器件封装: DO-219AB（SMF）