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 型号BYV38-TR参数

  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • DIODE AVALANCHE 1KV 2A SOD57
  • 剪切带(CT): ¥5.30000,卷带(TR): ¥2.12889
  • 系列: -
  • 产品状态: 在售
  • 二极管类型: 雪崩
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1000 V
  • 电流 - 平均整流 (Io): 2A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 1 A
  • 速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr): 300 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 μA @ 1000 V
  • 不同?Vr、F 时电容: 15pF @ 4V,1MHz
  • 安装类型: 通孔
  • 封装/外壳: SOD-57,轴向
  • 供应商器件封装: SOD-57
  • 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C
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型号 供应商 数量 厂商/品牌 封装 批号 说明 联系
BYV32E-150

6000 NXP - - -

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BYV32E-150,127

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BYV32E-150B

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BYV32E-150.127-PHI

1000 进口原装 PDF资料参照 0622+ -

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BYV32E-150.127-PHI

1000 进口原装 PDF资料参照 0622+ -

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BYV32E-150127

1000 NXP SOT78 -

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