型号BYT56M-TR参数

• Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• DIODE AVALANCHE 1000V 3A SOD64
• 剪切带（CT）: ￥9.22000,卷带（TR）: ￥4.18174
• 系列: -
• 产品状态: 在售
• 二极管类型: 雪崩
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1000 V
• 电流 - 平均整流 (Io): 3A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.4 V @ 3 A
• 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr): 100 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 μA @ 1000 V
• 不同?Vr、F 时电容: -
• 安装类型: 通孔
• 封装/外壳: SOD-64，轴向
• 供应商器件封装: SOD-64
• 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C