型号BAS386-TR3参数

• Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• DIODE SCHOTTKY 50V 200MA MICMELF
• 剪切带（CT）: ￥3.61000,卷带（TR）: ￥0.53524
• 产品状态: 在售
• 二极管类型: 肖特基
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 50 V
• 电流 - 平均整流 (Io): 200mA
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 100 mA
• 速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
• 反向恢复时间 (trr): -
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 μA @ 40 V
• 不同?Vr、F 时电容: 8pF @ 1V，1MHz
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装/外壳: 2-SMD，无引线
• 供应商器件封装: MicroMELF
• 工作温度 - 结: -65°C ~ 150°C