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型号:BUZ110S

描述:Infineon Technologies Corporation

厂商:SIPMOS Power Transistor

PDF大小:126 K

页数:8 页

 型号BUZ11-NR4941参数

  • onsemi
  • MOSFET N-CH 50V 30A TO220-3
  • 管件: ¥10.52000
  • 系列: -
  • 产品状态: 在售
  • FET 类型: N 通道
  • 技术: MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss): 50 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 40 毫欧 @ 15A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值): -
  • Vgs(最大值): ±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2000 pF @ 25 V
  • FET 功能: -
  • 功率耗散(最大值): 75W(Tc)
  • 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型: 通孔
  • 供应商器件封装: TO-220-3
  • 封装/外壳: TO-220-3
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