型号BUK7Y9R9-80EX参数

• Nexperia USA Inc.
• MOSFET N-CH 80V 89A LFPAK56
• 剪切带（CT）: ￥13.82000,卷带（TR）: ￥6.26601
• 产品状态: 在售
• FET 类型: N 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）: 80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 89A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 98 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 51.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）: ±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 498 pF @ 25 V
• FET 功能: -
• 功率耗散（最大值）: 195W（Tc）
• 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 供应商器件封装: LFPAK56，Power-SO8
• 封装/外壳: SC-100，SOT-669