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达普首页 > PDF首页  > 模拟类  > 瞬态电压抑制器  > BU506DF PDF资料

型号:BU506DF

描述:Philips Semiconductors

厂商:Silicon Diffused Power Transistor

PDF大小:69 K

页数:12 页

 型号BU508AW参数

  • STMicroelectronics
  • TRANS NPN 700V 8A TO247-3
  • 管件: ¥26.34000
  • 系列: -
  • 产品状态: 在售
  • 晶体管类型: NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 8 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值): 700 V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值): 1V @ 1.6A,4.5A
  • 电流 - 集电极截止(最大值): 200μA
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 10 @ 100mA,5V
  • 功率 - 最大值: 125 W
  • 频率 - 跃迁: -
  • 工作温度: 150°C(TJ)
  • 安装类型: 通孔
  • 封装/外壳: TO-247-3
  • 供应商器件封装: TO-247-3
型号 供应商 数量 厂商/品牌 封装 批号 说明 联系
BU506DF-S

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