型号BSR202NL6327HTSA1参数

• Infineon Technologies
• MOSFET N-CH 20V 3.8A SC59
• 剪切带（CT）: ￥5.30000,卷带（TR）: ￥2.01369
• 产品状态: 在售
• FET 类型: N 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）: 20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 21 毫欧 @ 3.8A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.2V @ 30μA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 8.8 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）: ±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1147 pF @ 10 V
• FET 功能: -
• 功率耗散（最大值）: 500mW（Ta）
• 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 供应商器件封装: PG-SC59-3
• 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3