型号BSM180D12P3C007参数

• Rohm Semiconductor
• SIC POWER MODULE
• 散装: ￥4,325.82000
• 系列: -
• 产品状态: 在售
• FET 类型: 2 N-通道（双）
• FET 功能: 碳化硅（SiC）
• 漏源电压（Vdss）: 1200V（1.2kV）
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 180A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: -
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.6V @ 50mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: -
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 900pF @ 10V
• 功率 - 最大值: 880W
• 工作温度: 175°C（TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装/外壳: 模块
• 供应商器件封装: 模块