型号IPI029N06NAKSA1参数

• Infineon Technologies
• MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO262-3
• 管件: ￥20.43000
• 产品状态: 在售
• FET 类型: N 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）: 60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 24A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.9 毫欧 @ 100A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.8V @ 75μA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）: ±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4100 pF @ 30 V
• FET 功能: -
• 功率耗散（最大值）: 3W（Ta），136W（Tc）
• 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型: 通孔
• 供应商器件封装: PG-TO262-3
• 封装/外壳: TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA