型号FDC3601N参数

• onsemi
• MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
• 剪切带（CT）: ￥5.38000,卷带（TR）: ￥1.91047
• 产品状态: 在售
• FET 类型: 2 N-通道（双）
• FET 功能: 标准
• 漏源电压（Vdss）: 100V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 500 毫欧 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250μA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 5nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 153pF @ 50V
• 功率 - 最大值: 700mW
• 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装/外壳: SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装: SuperSOT?-6