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  • 三星首推EUV工艺DRAM内存,2030有望超越台积电?
    http://www.ic72.com 发布时间:2020-3-26 11:48:07

     

    三星电子(Samsung Electronics)今天宣布,已经出货100万业界首款10nm EUV级(D1x)DDR4 DRAM模组。并完成全球客户评估,这为今后高端PC、手机、企业级服务器等应用领域开启新大门。

    EUV(极紫外光刻)工艺是目前世界上最先进的芯片制造工艺,EUV光刻机也被认为是完成7nm以下制程的重要途径。而这次三星率先将EUV工艺用到DRAM内存颗粒的生产上,可以在精度更高的光刻中减少多次图案化的重复步骤,并进一步提升产能。

    三星表示,将从第四代10nm级(D1a)DRAM或高端级14nm级DRAM开始全面导入EUV,明年基于D1a大规模量产DDR5和LPDDR5内存芯片,预计会使12英寸晶圆的生产率翻番。

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    虽然目前支持DDR5内存的PC平台还没有出现,不过内存芯片却在各大存储器大厂的推动下逐渐开始接近上市。三星量产的第一代EUV DDR5 DRAM单芯片容量为16Gb(2GB),地点是平泽市的V2线。

    除了10nmEUV工艺的存储芯片外,三星也正在推进5nm及以下制程的EUV工艺。外媒报道称,三星已经从半导体设备生产商那里订购了5nm工艺生产的相关设备,目前已经开始在华城V1工厂内建立了一条5nm的晶圆代工生产线。据悉相关的设备组装需要两个多月,按照进度来看,今年6月份以前,三星应该能够安装完所有的设备。

    如无意外,三星将在今年年底进行5nm EUV工艺的量产。对比三星的竞争对手台积电,台积电已经宣布将在最早4月份进行5nm EUV工艺的量产,所以三星与台积电之间的差距应该在半年左右。

    三星半导体曾公开表示,希望在2030年之前超越台积电,成为全球晶圆半导体业务的领导者。据悉在三星5nm正式量产后,将负责高通下一代5nm旗舰芯片和X60 5G基带芯片的生产。


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