网站首页
IC库存
IC展台
电子资讯
技术资料
PDF文档
我的博客
IC72论坛
ic72 logo
搜索关键字: 所有资讯 行业动态 市场趋势 政策法规 新品发布 技术资讯 价格快报 展会资讯
  • 达普IC芯片交易网 > 新闻中心 > 新品发布 > 正文
  • RSS
  • Vishay推出新款共漏极双N沟道60 V MOSFET
    http://www.ic72.com 发布时间:2019-12-12 12:42:02

     

     日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用小型热增强型PowerPAK? 1212-8SCD封装新款共漏极双N沟道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是业内最低RS-S(ON)的60 V共漏极器件,专门用于提高电池管理系统、直插式和无线充电器、DC/DC转换器以及电源的功率密度和效率。

    11.jpg

      日前发布的双片MOSFET在10V电压下RS-S(ON)典型值低至10 mW,是3mm x 3mm封装导通电阻最低的60 V器件,比这一封装尺寸排名第二的产品低42.5%,比Vishay上一代器件低89%。

      从而降低电源通道压降,减小功耗,提高效率。为提高功率密度,SiSF20DN的RS1S2(ON)面积乘积低于排名第二的替代MOSFET 46.6 %,甚至包括6 mm x 5 mm较大封装解决方案

      为节省PCB空间,减少元件数量并简化设计,该器件采用优化封装结构,两个单片集成TrenchFET?第四代n沟道MOSFET采用共漏极配置。SiSF20DN源极触点并排排列,加大连接提高PCB接触面积,与传统双封装型器件相比进一步减小电阻率。这种设计使MOSFET适合用于24 V系统和工业应用双向开关,包括工厂自动化、电动工具、无人机、电机驱动器、白色家电、机器人、安防/监视和烟雾报警器。

      SiSF20DN进行了100 % Rg和UIS测试,符合RoHS标准,无卤素。

      新型MOSFET现可提供样品并已实现量产,大宗订货供货周期为30周。


    www.ic72.com 达普IC芯片交易网
  • 行业动态
  • 市场趋势
  • 政策法规
  • 新品发布
  • Baidu

    IC快速检索:abcdefghijklmnopqrstuvwxyz0123456789
    COPYRIGHT:(1998-2010) IC72 达普IC芯片交易网
    客户服务:service@IC72.com 库存上载:IC72@IC72.com
    (北京)联系方式: 在线QQ咨询:点击这里给我发消息 联系电话:010-82614113 传真:010-82614123
    京ICP备 09027246号-1 京公网安备 11010802018497 号 企业资质