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  • SK海力士明年存储器半导体市场投资会比竞争品牌三星、美光还要多
    http://www.ic72.com 发布时间:2018-11-16 9:52:43
     
    SK海力士不仅在存储器半导体活跃,根据IC Insights的市调结果,在整个半导体市场中,今年的销售额达到全球第三名,这是SK海力士首次挤进前三中,把原本位居第三的台积电挤至第四名,因此市场也愈测,与竞争公司相比,明年SK海力士的市占率还有可能再继续扩大。
      根据韩媒《DDaily》报导,NH投资证券研究员都贤宇预测,明年SK海力士将比三星电子、美光集团更积极进行投资。预计三星明年DRAM、NAND出货量增加率(与前一年相比)分别是19%、35%;而SK海力士则分别增加23%、40%;美光公司则是分别增加21%和25%。SK海力士将透过清州M15 NAND工厂和明年初在中国无锡市竣工的DRAM工厂扩大供货量。
    SK海力士也于12日表示,预计明年第一季开始供给第二代10纳米细微工程适用的8Gb DDR4 DRAM,打算追上竞争企业们的脚步。事实上,三星电子去年11月就已经批量生产第二代10纳米级的8Gb DDR4服务器用的DRAM,更在今年7月领先业界,批量生产第二代10纳米工程适用的16Gb LPDDR4X行动存储器;美光公司最近也开始批量生产10纳米工程适用的12Gb LPDDR4X行动存储器。
    虽然在DRAM领域中,SK海力士必须追赶着其他竞争品牌,但在NAND快闪存储器领域则大不相同。4日时,SK海力士才表示今年内将引进PUC(Peri under Cell)技术来量产96层的3D NAND,SK海力士更将其命名「4D NAND」,这也意味着SK海力士想透过展示自家的尖端技术,显示和同业的技术差距。
    事实上,SK海力士是全球首家在CTF(Charge Trap Flash)架构上与PUC结合,并成功开发96层的512Gb TLC(Triple Level Cell)NAND。PUC技术是指在掌管存储数据的储存单元(Cell)中,配置下方掌管储存单元的周边部(Peri)回路的技术,类似把建筑物旁边有的停车场(在此指Peri)移动至建筑物地下室的概念。业界也评价SK海力士能以现在NAND的技术基础,在CTF上增加了PUC技术,实现了技术进步。目前三星电子还没有引进这样的技术,加上SK海力士自创了「4D NAND」的名称,由此可见对自身实力的自信。
    然而SK海力士在NAND技术方面领先,但能否克服DRAM的偏重现象也备受关注,目前SK海力士在DRAM市场的占有率位居全球第2,NAND的市占率反而仅排在第4名,NAND市场预测中国存储器半导体的攻势未来会更猛烈,业界也认为,若NAND技术比DRAM低,中国就可以更快追上韩国。
     

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