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SK海力士成功研发96层4D Nand闪存将于年内量产

 
SK海力士在去年4月研发出72层3D NAND闪存之后,用了短短1年半就攻克了96层半导体技术,这种半导体体积比现在的72层512Gbit 3D NAND闪存缩小了30%以上,可以搭载到智能手机移动零部件之中,每张面板可以生产的记忆容量(bit)提升1.5倍,可同时处理的数据量更是提升一倍至业界最高水平的64KB,一个新的芯片产品可以取代2个原来的256Gbit 3D NAND闪存。SK海力士强调,“新芯片的读写能力分别比现在的72层产品提高了30%和25%”。

SK海力士之所以自称“全球首次”,是因为该公司不同于其他半导体公司采用的2D NAND浮栅型闪存单元技术,而是将3D NAND使用的电荷撷取闪存(CTF,Charge Trap Flash)结构与外围电路(PUC,Peri Under Cell)构造结合起来开发出了新的技术。PUC技术将用来驱动晶胞的周边电路堆叠在储存数据的晶胞阵列下方,相当于将公寓楼(NAND闪存)所需要的停车场从公寓旁边改建到了地下空间,以此方式提高空间使用效率。
SK海力士计划在上月于忠北清州市正式建成并启动的M15工厂批量生产新开发的96层4D NAND闪存半导体。
SK海力士能否凭借新产品在竞争力相对弱势的NAND闪存市场站稳脚跟并争取NAND闪存市场的主导权,倍加受人关注。SK海力士在全球D-RAM市场仅次于三星电子排名第二,但在NAND闪存市场却以大约10%的份额之差排在三星电子、东芝、西部数据之后,排名第四。在去年SK海力士的销售额中,NAND闪存所占比重保持在22%左右,而在今年上半年,这一比例下降到了18%。
此外,随着半导体存储器的供应增加和需求停滞,NAND闪存半导体的价格在今年下降了9%以上,进一步助推了“半导体危机论调”。SK海力士计划通过扩大新产品的供应打破这样的危机论调。
SK海力士首先计划在年内推出搭载4D NAND闪存的1TB容量固态硬盘(SSD)。固态硬盘是一种利用NAND闪存半导体储存信息的新一代大容量储存设备。
SK海力士公司常务金正泰(音,负责NAND市场营销)表示,“给予CTF技术的96层4D NAND闪存拥有业界最顶级的性能和成本优势”,“我们还正利用相同技术研发新一代128层4D NAND闪存”。
 

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