智能手机带动 未来五年存储器成长力道强劲

    ICInsights最新报告预测，DRAM与NAND快闪存储器等，未来五年年均复合增长率（CAGR）可达7.3%，产值将从去年的773亿美元扩增至1，099亿美元。

    报告将半导体区分成逻辑、存储器，模拟与微组件（microcomponents）IC等四种类型，在五年的预测区间内，以存储器成长力道最为强劲，模拟IC以5.2%次之，微组件为4.4%，至于逻辑IC则仅有2.9%。

    ICInsights指出智能手机等移动设备对低功耗存储器需求激增，是驱动DRAM与NAND快闪存储器成长的主要动能。除此之外，使用NAND快闪存储器的固态硬盘（SSD）在数据中心、笔记本电脑的应用也日趋吃重。

    三星上周五公布2016年第四季财报，在Note7自燃召回的状况下，营益竟然还能逆势跳增近80%，就是因为受惠于存储器价格大涨，将利润空间拉大。