内存市场前景旺 未来5年年均增长达7.3%

 内存市场日益扩大，研调机构IC Insights最新报告预测，DRAM与NAND闪存等，未来5年年均复合增长率（CAGR）可达7．3％，产值将从去年的773亿美元扩增至1，099亿美元。

    报告将半导体区分成逻辑、内存，模拟与微组件（microcomponents）IC等4种类型，在5年的预测区间内，以内存成长力道最为强劲，模拟IC以5．2％次之，微组件为4．4％，至于台积电擅长代工的逻辑IC则仅有2．9％。

    IC Insights指出智能手机等移动设备对低功耗内存需求激增，是驱动DRAM与NAND闪存成长的主要动能。除此之外，使用NAND闪存的固态硬盘（SSD）在数据中心、笔电的应用也日趋吃重。

    三星6日公布2016年第四季财报，在Note 7自燃召回的状况下，营益竟然还能逆势跳增近80％，就是因为受惠于内存价格大涨，将利润空间拉大。