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  • 中芯李序武:台积电技术强到我每天都睡不好
    http://www.ic72.com 发布时间:2015-9-21 16:07:14

    中芯国际执行副总裁李序武表示,28纳米制程除了第一家客户高通(Qualcomm)量产,博通(Broadcom)和华为旗下海思28纳米也会到中芯生产,大陆本地IC设计公司对28纳米需求更是超强。但谈到台积电到大陆设12吋晶圆厂,李序武坦言“台积电的实力强到我每天都睡不好!”

        李序武表示,中芯目前28纳米制程良率很不错,但仍是有改善空间,重要的是,高通愿意作为第一家量产28纳米制程的客户,对于中芯高度肯定,目前量产的28纳米是PolySiON制程,下一个目标是赶快将28纳米的HKMG制程做出来。很多大客户都在等待28纳米的HKMG制程,一旦量产,海思和博通都会来中芯投产。

        除了这些国际IC设计大客户之外,另一波绝对不容忽略的趋势,是大陆本地IC设计公司对于28纳米制程需求超强,很多本地IC设计客户都说“只要中芯28纳米HKMG就绪,随时去投产”而这也意味着,其实来自客户端的压力逼得紧。

        近期在种种因素考量下,台积电也将到大陆设立12吋晶圆厂,李序武表示,台积电技术和竞争力超强,强到让他每天都睡不好。也期许中芯在先进制程开发和良率驱动会更加一把劲。

        中芯日前宣布和高通、华为、比利时微电子(Imec)一起开发14纳米FinFET制程,目前Imec已有一个团队常驻在中芯厂内,但主要技术开发重任仍是要中芯努力,Imec只是要提供一些基础技术和专利,李序武也表示,这确实可以让中芯少走一些冤枉路。

        中芯在投入14纳米FinFET制程之前,也评估过像是FD-SOI技术,这技术在2年前非常吸引人,虽然整体表现没有FinFET制程好,但FD-SOI技术的优点是相较于现有制程改变不多,但最后还是走FinFET制程,主要是因为多数客户都是需要FinFET制程。

        李序武也指出,中芯的14纳米FinFET制程预计在2018年早期风险量产(RiskProduction),此前中芯宣布的量产时间点是2020年。

        除了先进制程追着摩尔定律跑,在“超越摩尔定律”(MorethanMoore)布局上,看好智能型手机、物联网(IoT)时代下MEMS感测器需求大爆发,据中芯规划,2015年量产MEMS麦克风、惯性感测器(InertialSensing),预计2016年量产压力感测器等,一步步齐全MEMS感测器产品线全线技术。

        针对未来半导体技术,李序武也指出三大技术趋势,第一是整合型芯片,如MCU+RF/Wireless、MCU+eNVM+RF/Wireless;第二是低功耗技术Ultra-LowPower;第三是3DIC/TSV/WLCSP等封装技术。

        针对RF/Wireless芯片,中芯现以0.11微米、65/55/20纳米制程技术生产,未来除了既有的0.11微米制程,以及65/55纳米制程,也会转进40/28纳米制程技术;嵌入式存储器EmbeddedNVM/MCU技术上,目前是以0.18/0/13微米LLeNVM技术为主,未来会转进0.11微米和55/40/28纳米ULLeNVM技术。

        在电源管理芯片PMIC产品上,技术会由0.18~0.13微米LG/LDMOS转到65/55纳米UltraEfficientLG/LDMOS;在影像感测器CIS上,目前以0.18~0.11微米、90~55纳米制程为主,未来会转到90纳米~55/40纳米3DCIS技术。

        目前中芯国际有四个生产基地,12吋晶圆厂以北京和上海厂为主,北京12吋晶圆一厂月产能3.7万片,制程技术为0.18微米~55纳米,二厂刚开始量产,未来会以先进制程40~28纳米为主;上海12吋厂月产能为1.4万片,制程技术也是锁定45/40~28纳米;其他8吋厂有上海、深圳和天津厂。
     


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