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  • Cree推出了首款能够突破业界SiC功率器件技术的900V MOSFET平台
    http://www.ic72.com 发布时间:2015-9-8 11:39:41


      SiC市场领导者Cree(科锐公司)近期推出了首款能够突破业界SiC功率器件技术的900V MOSFET平台。该款升级版平台,基于Cree的SiC平面技术从而扩展了产品组合,能够应对市场更新的设计挑战,可用于更高直流母线电压。且领先于 900V超结Si基MOSFET技术,扩大了终端系统的功率范围,在更高温度时仍能提供低导通电阻Rds(on),大大减小了热管理系统的尺寸,很好地解决了散热及显著降额的问题。与目前的Si基方案相比, 900V SiC MOSFET平台为电源转换设计者提供了更多的创新空间,方便实现尺寸更小、速度更快、温度更低、效率更高的电源设计方案。这也是新一代电力转换系统与硅成本平价的解决方案

      图 基于900V SiC MOSFET平台的C3M0065090J

      世强代理的C3M0065090J,是该平台的主导产品,其额定工作电压/电流分别为900V/32A;在25°C条件下,可以实现最低至65 mΩ的额定导通电阻,在更高温度(Tj=150°C)工作时,导通电阻Rds(ON)也只有90mΩ,减少了系统的冷却需求。另外,该产品不仅拥有业界标准的TO247-3/TO220-3封装,还能够提供低阻抗D2Pak-7L表面贴封装,采用了开尔文(Kelvin)连接以帮助减小栅极振荡。 C3M0065090J适合用于包括可再生能源逆变器、电动汽车充电系统、三相工业电源、高电压直流/直流转换器、关模式电源在内的高频电力电子应用。

      目前,世强已全面代理了Cree SiC相关产品,并且保证具有竞争力的价格,欢迎致电400-887-3266咨询订购。

      C3M0065090J的功能与特点:

      • 采用卓越的C3M SiC Mosfet平面技术,n沟道增强型场效应晶体管技术;

      • 高阻断电压、高开关频率、高功率密度;

      • 应用快速体二极管,反向恢复时间短;

      • 额定电压/电流值为900V/32A,额定导通电阻最低至65mΩ(25°C)、90mΩ(Tj=150°C);

      • 标准TO247-3/TO220-3封装和低阻抗D2Pak-7L表面贴封装;

      • 无卤素、通过无铅认证;


     


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