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  • 闪迪东芝同时宣布新3D NAND闪存问世 存储速度提升5倍将用于iPhone7
    http://www.ic72.com 发布时间:2015-8-6 15:02:36


      8月6日消息,日前,闪迪和东芝两家闪存厂商不约而同,宣布了旗下最新3D NAND技术的闪存芯片即将问世,速度将大幅提升,同时能耗将进一步降低。

      闪迪和东芝宣布开发出了世界第一款48层3D NAND闪存,采用3bit/cell多值化技术,容量为32GB。目前,闪迪方面已经开始试产“256Gbit X3”芯片,而东芝预计将于2015年9月开始供应样片。据悉,该芯片采用了15纳米工艺,比市面上最优秀的商用闪存芯片电路密度提高了2倍、存储速度提高4-5倍,而能耗将进一步降低。并且,因为采用了3D堆栈技术,新芯片的面积将缩小,非常适合智能手机、平板电脑之类的设备。

      目前,闪迪和东芝是苹果iPhone6、iPhone6 Plus的主要闪存芯片供应商,而且,据消息透露,两家厂商已经基本完成了向下一代苹果iPhone6s、iPhone6s Plus第一阶段的供货任务。也就是说,明年iPhone7很可能会搭载上述两家厂商的新型3D NAND闪存芯片,这将让iPhone7在储存能力、数据传输速度上获得飞跃。


     


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