CMOS影像感测器前景看好，DRAM厂全力卡位

 　CMOS影像感测器市场前景看好，DRAM大厂频藉DRAM大量生产技术卡位，根据三星等业者技术蓝图，目前二百万画素CMOS影像感测器制程，已于第四季开始微缩至0.13微米，预计明年第四季再微缩至九○奈米。虽然市场认为CMOS影像感测器微缩至奈米制程世代难度太高不易成功，但光是以0.13微米卡位市场，供过于求压力就会让明年价格处于跌势，并迫使后段封测厂调降代工价。

  　CMOS影像感测器以低成本优势成功打入手机市场，挤下CCD（电荷耦合）影像感测器成为照相手机主要应用产品后，今年CMOS影像感测器市场开始有了较明显的成长，市调机构iSuppli认为，手机内建数位相机的应用，将推动CMOS影像感测器于2006年成为市场主流，当然成功以DRAM低漏电制程生产制程的DRAM大厂如三星、美光、及由Hynix切割出来的非记忆体半导体厂MagnaChip，也开始全力投产卡位，并在今年第四季开始进行制程微缩工程。

　  今年美光主要是以0.15微米生产CMOS影像感测器，三星、MagnaChip主要制程仍以0.18微米为主，第四季后业者开始进行制程微缩，以三星、MagnaChip的技术蓝图来看，目前已经开始以0.13微米开始投片生产二百万画素CMOS影像感测器，而较令市场感到惊讶部份，则是二家业者将于明年第四季将CMOS影像感测器制程再微缩至90奈米。

　  虽然业界认为CMOS影像感测器制程微缩至奈米级后不易成功，但对于擅于利用大量生产经竞规模优势降低单位成本的DRAM厂，以○．一三微米以下制程积极投入感到忧心。业者认为，对DRAM厂来说，只要市场价格高于生产成本，因为出货数量大，都会有不错的获利，但供过于求压力却会因此升高，造成价格快速下跌，如同今年NAND快闪记忆体市况一般，对在晶圆代工厂投片的感测器供应商来说，很容易被DRAM厂压迫而退出市场。

  　而DRAM厂不断压低CMOS影像感测器价格，也开始影响到后段封测厂代工价。据了解，CMOS影像感测器封测产能今年扩充量能其实不太大，但因提高产能的DRAM厂商，大部份封测业务仍在自有厂内处理，仅小部份释出委外，所以主要委外代工的IC设计业者，面对价格不断下跌压力，已开始要求后段封测厂降价，第四季测试合约价已跌一成，预估明年仍会继续降价。